圖5. 非晶態(tài)GaOx薄膜光電晶體管的日盲UV成像。(a)使用基于非晶Ga2O3的光電晶體管作為感應(yīng)像素的日盲成像系統(tǒng)的示意圖。(b)在光罩上帶有字母“ CAS”的物體圖像。(c)從日盲成像系統(tǒng)獲得的圖像。(d)沿(c)中標(biāo)記的線的灰度值。
結(jié)論
本研究中的非晶GaOx薄膜光電晶體管的主要參數(shù)，例如響應(yīng)度，探測(cè)率，外量子效率和光電導(dǎo)增益，均比基于二維 β-Ga2O3納米片、Ga2O3納米帶、以及Ga2O3納米線和微米線探測(cè)器好得多。此外，非晶GaOx光電晶體管還比基于薄膜Ga2O3的MSM PD表現(xiàn)出更好的性能。如此高的性能以及低成本和易于制造的工藝，使得非晶GaOx薄膜光電晶體管在未來的光電系統(tǒng)中具有很大的潛力，可用于陣列光電探測(cè)器和成像器。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵教授課題組簡(jiǎn)介
課題組主要從事寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的生長(zhǎng)，器件開發(fā)，包括電力電子器件以及紫外探測(cè)器件，功率器件模組以及成像系統(tǒng)的開發(fā)。主要期望通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，以及完善工藝開發(fā)，制備更高性能的功率器件和深紫外探測(cè)器件，實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓，更低的導(dǎo)通電阻，更高的響應(yīng)度和更快的響應(yīng)速度等。截止目前，龍世兵教授主持國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部（863、973、重大專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃）、中科院等資助科研項(xiàng)目15項(xiàng)。在Adv. Mater., ACS Photonics，IEEE Electron Device Lett.等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引6300余次，H指數(shù)44。獲得/申請(qǐng) 100余項(xiàng)，其中9項(xiàng)轉(zhuǎn)移給國(guó)內(nèi)大的集成電路制造企業(yè)中芯國(guó)際，74項(xiàng)授權(quán)/受理發(fā)明 許可給武漢新芯。
文章信息
這一成果以“Amorphous Gallium Oxide-Based Gate-Tunable High-Performance Thin Film Phototransistor for Solar-Blind Imaging”為題發(fā)表在Advanced Electronic Materials上, 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)覃愿為作者，龍世兵教授為通訊作者。
文章信息：Advanced Electronic Materials, 2019, 5, 1900389.
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